Jump to content
Sign in to follow this  
Flanger

Новое Поколение Pram-микросхем Samsung

Recommended Posts

Южнокорейская компания Samsung сообщила о скором начале поставок нового поколения микросхем памяти на основе фазового перехода – PRAM. Согласно информации от разработчиков, первые партии устройств отгрузят клиентам уже в июне 2009 года, причем ими станут решения информационной емкостью 512 Мб.

Главным достоинством памяти на основе фазового перехода является высокая скорость при произвольном чтении данных и энергонезависимость, позволяющая хранить записанную информацию без подвода энергии. Таким образом, память типа PRAM объединяет в себе сильные стороны оперативной памяти и флэш-памяти – согласно официальным сведениям, новые микросхемы могут увеличить скоростные возможности подсистемы памяти в тридцать раз. По сравнению с комбинацией современной «оперативки» и энергонезависимых накопителей.

post-1-1241635779.jpg

В основе технологии Samsung лежит применение такого материала, как халькогенидное стекло. Материал способен за очень короткий промежуток времени изменять свое фазовое состояние из кристаллического в аморфное, и наоборот. Именно за счет этого и достигается высокая скорость передачи информации. Материал также способен в течение значительного времени сохранять свое фазовое состояние, что позволяет реализовать энергонезависимость памяти.

Пока Samsung не разглашает информацию относительно потенциальных клиентов, которым будет осуществляться поставка первых PRAM-микросхем. Не называется и основная область применения устройств, впрочем, их характеристики и компактные размеры позволяют предположить, что они найдут свое признание в мобильной электронике, выполняя одновременно роль оперативной памяти и основного накопителя.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Sign in to follow this  

×