Jump to content
Sign in to follow this  
Flanger

Про память

Recommended Posts

Цитата
Спецификации для модулей памяти и другой микроэлектроники разрабатываются и утверждаются JEDEC – органом по стандартизации полупроводников Альянса электронной индустрии (Electronic Industries Alliance, EIA). EIA насчитывает около 300 членов, которые участвуют в разработке стандартов, обслуживающих потребности индустрии. Накануне JEDEC опубликовала ключевые атрибуты предстоящего стандарта оперативной памяти DDR4. Финальные спецификации будут готовы к середине 2012 года. Модули, выполненные в соответствии с новыми техническими требованиями, будут отличаться не только увеличенным быстродействием, но и смогут потреблять меньше энергии.

Основной упор разработчики сделали на энергоэффективность новой памяти. Во-первых, снижено напряжение питания до 1.2 вольт, к тому же в дальнейшем возможно снижение этого показателя. Во-вторых, будет использована архитектура "групп банков" с независимыми сигнальными линиями. Таким образом, каждая группа банков сможет работать индивидуально, позволяя отключать простаивающие группы. Не трудно догадаться, что новая архитектура окажет положительное влияние на энергопотребление модулей.

Минимальная скорость передачи данных на каждую линию составит 1.6 гигатранзаций в секунду, тем не менее, стандарт в будущем предполагает удвоение пропускной способности (то есть, эффективная частота памяти будет равняться 1600-3200 МГц). Если сравнивать этот показатель с таковым в DDR3, то для стандарта текущего поколения "потолок" находится на уровне 1.6 ГТ/с (1600 МГц) , но на практике производителям удалось превысить ограничение. DDR4 откроет возможность для дальнейшего роста. Кроме того, для экономии электроэнергии модули смогут снижать рабочую частоту до 2667 МГц и менее в режиме простоя.

Среди других усовершенствований можно выделить следующее:

соответствие стандарту POD12 (Pseudo Open Drain) - номинальное напряжение питания составит 1.2 вольт, снизится энергопотребление в режимах чтения и записи;

новая шина данных CRC - появится возможность обнаружения ошибок передачи по шине данных даже для модулей без блока ECC;

поддержка маскирования данных;

псевдооткрытый интерфейс стока на шине DQ;

внутренняя генерация напряжения VrefDQ и сохранение стабильности шины DQ даже при снижении показателя напряжения VDD с течением времени;

поддержка новых алгоритмов проверки работоспособности адресной и командной шины;

поддержка механизма DBI, который отвечает за снижение энергопотребления и целостность записываемых данных.

Ещё одной немаловажной особенностью станет необходимость использования контроллера памяти с интерфейсом "точка-точка". Это значит, что на каждый канал можно будет подключить только один модуль DDR4, а значит, в будущем производителям придётся значительно повысить объём выпускаемых модулей. Коммерческое внедрение памяти нового стандарта ожидается не ранее 2013 года. Нужно отметить, что темпы экспансии нового стандарта будут весьма сдержанными - аналитики предсказывают, что к 2014 году DDR4 будет использоваться лишь в 12% компьютерных систем по всему миру. На данный момент выпуском экспериментальных модулей объёмом 2 Гбайт занимаются компании Samsung и Hynix.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Цитата

 

Новой памятью Micron LPDDR4X можно установить в смартфон 16 ГБ ОЗУ одной микросхемой

Компания Micron Technology представила монолитную память LPDDR4X DRAM плотностью 16 Гбит. Это максимальная плотность в отрасли. Используя восемь таких кристаллов, можно изготовить микросхему, позволяющую включить в конфигурацию смартфона 16 ГБ ОЗУ.

Micron-Technology-1.jpg
Новые кристаллы изготавливаются по нормам 1z нм. Они поддерживают скорость до 4266 Мбит/с в расчете на линию и потребляют на 10% меньше энергии, чем решения предыдущего поколения.

Кристаллы Micron LPDDR4X также доступны в составе многокристальных компонентов на основе UFS (uMCP4). Эти сборки предназначены для мобильных устройств, поскольку позволяют получить низкое энергопотребление для увеличения автономности и уменьшить толщину устройства. Всего доступно восемь конфигураций uMCP4, от варианта с 64 ГБ флеш-памяти и 3 ГБ оперативной памяти до варианта с 256 ГБ флеш-памяти и 8 ГБ оперативной памяти.

Компания Micron уже начала серийные поставки кристаллов LPDDR4X и компонентов uMCP4.

 

 

Share this post


Link to post
Share on other sites
Цитата

 

Компания IBM представила новый интерфейс памяти, альтернативу DDR

Процессоры IBM Power 9 получат его уже в будущем году

На мероприятии Hot Chips компания IBM представила интерфейс памяти Open Memory Interface (OMI), который позволит увеличить объем и пропускную способность оперативной памяти серверов по сравнению с используемым сейчас интерфейсом DDR. Он может быть принят в качестве стандарта отраслевой организацией JEDEC и составить конкуренцию таким разработкам, как GenZ и Intel CLX.

IBMOMIinvert-min_large.png

OMI убирает контроллер памяти из хоста, вместо этого полагаясь на контроллер на сравнительно небольшой карте DIMM. Вынос контроллера DDR за пределы процессора упрощает проектирование процессора и уменьшает его тепловыделение. Отделение Microsemi компании Microchip уже располагает таким контроллером, используемым в лабораториях IBM. Как утверждается, новое решение позволит установить в сервер до 4 ТБ памяти, работающей со скоростью около 320 ГБ/с, или до 512 ГБ памяти, работающей со скоростью до 650 ГБ/с. Оборотной стороной достижения является задержка, вносимая внешним контроллером. Кроме того, контроллер рассеивает около 4 Вт, но это примерно наполовину компенсируется меньшим тепловыделением хоста, из которого убираются блоки интерфейса физического уровня PHY DDR.

В IBM видят будущие контроллеры, позволяющие использовать OMI с графической памятью DRAM, как альтернативу набирающими популярность, но все еще дорогим и имеющим высокое энергопотребление стекам HBM.

OMI использует 96 параллельно-последовательных и последовательно-параллельных преобразователей (SerDes), поддерживающих скорость 25 Гбит/с, которыми располагает 14-нанометровый контроллер ввода-вывода IBM Power 9 Advanced I/O (AIO). Преобразователи могут быть гибко настроены на обслуживание OMI, нового поколения соединения Nvidia NVLink для обмена с GPU или соединения IBM OpenCAPI 4.0 для работы с другими ускорителями. Поддержка Xilinx CCIX не планируется. В поколении IBM Power 10 ожидается переход на преобразователи, поддерживающие скорости 32-50 Гбит/с.

 

 

 

Share this post


Link to post
Share on other sites
Sign in to follow this  

×