Jump to content
Sign in to follow this  
Flanger

Память на мемристорах

Recommended Posts

Теория мемристора была создана в 1971 году профессором Леоном Чуа.

post-1-0-60609000-1348809165.jpg

Устанавливает отношения между интегралами по времени силы тока, протекающего через элемент, и напряжения на нем. Долгое время мемристор считался теоретическим объектом, который нельзя построить.

Однако, лабораторный образец мемристора был создан в 2008 году коллективом ученых во главе с Р. С. Уильямсом в исследовательской лаборатории фирмы Hewlett-Packard. В отличие от теоретической модели, устройство не накапливает заряд, подобно конденсатору, и не поддерживает магнитный поток, как катушка индуктивности. Работа устройства обеспечивается за счет химических превращений в тонкой (5 нм) двухслойной пленке двуокиси титана. Один из слоев пленки слегка обеднен кислородом, и кислородные вакансии мигрируют между слоями под действием приложенного к устройству электрического напряжения. Данную реализацию мемристора следует отнести к классу наноионных устройств.

Наблюдающееся в мемристоре явление гистерезиса позволяет использовать его в качестве ячейки памяти. В принципе, мемристоры могут заменить транзисторы во многих случаях, но такая возможность пока рассматривается только гипотетически.

Теоретически они могут быть более емкими и быстрыми чем современная флеш-память. Также их блоки могут заменить RAM. Их умение «запоминать» заряд позволит отказаться от загрузки системы. В памяти компьютера отключенного от питания будет храниться его последнее состояние. Его можно будет включить и начать работу с того места, на котором остановился. Это же свойство позволит отказаться от некоторых компонентов современного ПК, что позволит сделать компьютеры меньше и дешевле. HP предполагает, что к 2014 году мемристоры начнут заменять собою флеш-память, в 2015—2017 — оперативную память и жесткие диски.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Разработка мемристоров завершена, но HP и Hynix не хотят подрывать рынок флэш-памяти

В 2008 году компания HP сообщила о создании мемристора, четвертого базового элемента электронных схем. По мнению HP, мемристоры могут кардинально изменить технологии хранения информации, будучи универсальной памятью, которая одновременно заменяет динамическую память с произвольным доступом и флэш-память.

Год назад был обнародован план планы коммерциализации разработки, предусматривающий выпуск новой памяти летом 2013 года.

Похоже, планы несколько изменились, как это часто бывает с новыми разработками. Согласно сообщению источника, ссылающегося на слова старшего научного сотрудника HP Labs Стэна Вильямса (Stan Williams), мемристоры выйдут на рынок не раньше конца 2013 года.

Интересно, что господин Вильямс уточнил, что дело не в технической стороне.

«Наш партнер, Hynix, является крупным производителем флэш-памяти, и мемристоры подорвут его бизнес, отняв часть рынка у флэш-памяти, — сказал господин Вильямс. — Так что подобрать время для выпуска мемристоров на рынок оказалось очень важным. Гораздо больше денег сейчас тратится на моделирование и понимание рынка, чем на исследовательскую работу».

Что касается этой самой исследовательской работы, она, по словам Стэна Вильямса, в основном завершена, так что выпуск новой памяти сможет освоить любая фабрика.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Sign in to follow this  

×